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PSMN4R8-100BSEJ  与  SUM70030E-GE3  区别

型号 PSMN4R8-100BSEJ SUM70030E-GE3
唯样编号 A3t-PSMN4R8-100BSEJ A3t-SUM70030E-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.88 mOhms @ 30A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 405W 375W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263AB
工作温度 175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 150A(Tc)
输入电容 10665pF -
Vgs(最大值) - ±20V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.8mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A

暂无价格 0 当前型号
IRLS4030PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRLS4030-7TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 190A(Tc) ±16V 370W(Tc) 3.9mΩ@110A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK7P 车规

暂无价格 0 对比
SUM70030E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

150A(Tc) N-Channel 2.88 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比
SUM70030E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

150A(Tc) N-Channel 2.88 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比

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