PSMN130-200D,118 与 SUD19N20-90-E3 区别
| 型号 | PSMN130-200D,118 | SUD19N20-90-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PSMN130-200D,118 | A-SUD19N20-90-E3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | Single N-Channel 200 V 0.09 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 90mΩ@5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W | 3W(Ta),136W(Tc) |
| 输出电容 | 207pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT428 | DPAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 20A | 19A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 2470pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 130mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD19N20-90-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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SUD19N20-90-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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