PSMN015-100B,118 与 IRF3710STRLPBF 区别
| 型号 | PSMN015-100B,118 | IRF3710STRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PSMN015-100B,118 | A-IRF3710STRLPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 300W | 200W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 输出电容 | 390pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 75A | 57A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 4900pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 15mΩ@10V | 23mΩ@28A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3130pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN015-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 15mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.392
|
883 | 对比 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRF3710STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4610TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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