PMV65XP,215 与 DMG3415U-7 区别
| 型号 | PMV65XP,215 | DMG3415U-7 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PMV65XP,215 | A36-DMG3415U-7 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single P-Channel 20 V 833 mW 7.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 39mΩ@4A,4.5V | ||||||||
| 上升时间 | - | 117ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.1nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | -2.8A | 4A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 输入电容 | 744pF | - | ||||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||
| 下降时间 | - | 393ns | ||||||||
| 高度 | - | 1mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.48W | 900mW | ||||||||
| 输出电容 | 65pF | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 795ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 系列 | - | DMG3415 | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 294pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.1nC @ 4.5V | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 74mΩ@2.8A,4.5V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 71ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 15,488 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.5499
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701,770 | 对比 | ||||||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
￥0.5819
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84,435 | 对比 | ||||||||||
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DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A |
￥0.6323
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78,302 | 对比 | ||||||||||
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4A 900mW 39mΩ@4A,4.5V 20V ±8V P-Channel |
￥0.5819
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15,488 | 对比 | ||||||||||
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AO3413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -20V 8V -3A 1.4W 80mΩ@4.5V |
￥0.5863
|
14,278 | 对比 |
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