PMV33UPE 与 SI2399DS-T1-GE3 区别
| 型号 | PMV33UPE | SI2399DS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PMV33UPE | A-SI2399DS-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 34mΩ@5.1A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 5.1A |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 835pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV33UPE | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SI2399DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 34mΩ@5.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SI2301HDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
112mΩ@-2.8A,-4.5V ±8V SOT-23 -55°C~150°C -3.1A -20V 1.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI2301HDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
112mΩ@-2.8A,-4.5V ±8V SOT-23 -55°C~150°C -3.1A -20V 1.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
