PMV32UP 与 SI2365EDS-T1-GE3 区别
| 型号 | PMV32UP | SI2365EDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PMV32UP | A-SI2365EDS-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 20 V 32 mOhm 1.17 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 5.9A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 32 mOhms @ 4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta),1.7W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV32UP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
￥1.0799
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106 | 对比 | ||||
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2301HDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
112mΩ@-2.8A,-4.5V ±8V SOT-23 -55°C~150°C -3.1A -20V 1.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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