PMV32UP 与 SI2323DDS-T1-GE3 区别
| 型号 | PMV32UP | SI2323DDS-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PMV32UP | A-SI2323DDS-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 39mΩ@4.1A,4.5V | ||
| 漏源极电压Vds | - | -20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 960mW(Ta),1.7W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | -5.3A | ||
| 系列 | - | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1160pF @ 10V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 8V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 106 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV32UP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
￥1.0799
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106 | 对比 | ||||
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2301HDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
112mΩ@-2.8A,-4.5V ±8V SOT-23 -55°C~150°C -3.1A -20V 1.6W P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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