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PMV32UP-215  与  SI2365EDS-T1-GE3  区别

型号 PMV32UP-215 SI2365EDS-T1-GE3
唯样编号 A3t-PMV32UP-215 A-SI2365EDS-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 32 mOhm 1.17 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-23-3
连续漏极电流Id - 5.9A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 32 mOhms @ 4A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta),1.7W(Tc)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV32UP-215 Nexperia 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Tc) P-Channel 32 mOhms @ 4A,4.5V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比

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