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PMV20EN  与  SI2338DS-T1-GE3  区别

型号 PMV20EN SI2338DS-T1-GE3
唯样编号 A3t-PMV20EN A3t-SI2338DS-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta),2.5W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - SOT-23-3
连续漏极电流Id - 6A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 424pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV20EN Nexperia 通用MOSFET

N-Channel

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SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

¥1.3941 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.3941
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SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

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