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PMF370XN-115  与  SI1302DL-T1-GE3  区别

型号 PMF370XN-115 SI1302DL-T1-GE3
唯样编号 A3t-PMF370XN-115 A-SI1302DL-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-323
连续漏极电流Id - 600mA(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 480 mOhms @ 600mA,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 280mW(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMF370XN-115 Nexperia 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI1302DL-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

600mA(Ta) N-Channel 480 mOhms @ 600mA,10V 280mW(Ta) SOT-323 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比
SI1302DL-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

600mA(Ta) N-Channel 480 mOhms @ 600mA,10V 280mW(Ta) SOT-323 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比

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