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PMCM6501UPEZ  与  SI8499DB-T2-E1  区别

型号 PMCM6501UPEZ SI8499DB-T2-E1
唯样编号 A3t-PMCM6501UPEZ A-SI8499DB-T2-E1
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 6WLCSP Si8499DB Series P-Channel 20 V 32 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 32mΩ
漏源极电压Vds -20V 1.3V
Pd-功率耗散(Max) 0.556W 2.77W(Ta),13W(Tc)
输出电容 210pF -
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 NAX000 MicroFoot-6
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -7.3A 7.8A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 250µA
输入电容 1420pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 30mΩ@-3A,-4.5V -
库存与单价
库存 0 35
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMCM6501UPEZ Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NAX000 P-Channel 0.556W -55°C~150°C ±8V -20V -7.3A

暂无价格 0 当前型号
SI8499DB-T2-E1 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 16A(Tc) ±12V 2.77W(Ta),13W(Tc) 32mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFoot-6 20V 7.8A 32mΩ 1.3V

暂无价格 35 对比
SI8499DB-T2-E1 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 16A(Tc) ±12V 2.77W(Ta),13W(Tc) 32mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFoot-6 20V 7.8A 32mΩ 1.3V

暂无价格 0 对比

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