PHN210T,118 与 SI4936CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | PHN210T,118 | SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-PHN210T,118 | A36-SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | 8-SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 5.8A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 40 mOhms @ 5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.3W | ||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | - | 2N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 7,340 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PHN210T,118 | Nexperia | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.112
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7,340 | 对比 | ||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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