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NX2301P215  与  SI2367DS-T1-GE3  区别

型号 NX2301P215 SI2367DS-T1-GE3
唯样编号 A3t-NX2301P215 A3t-SI2367DS-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Si2367DS Series P-Channel 20 V 66 mOhm 0.96 W Surface Mount Mosfet - TO-236
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-23-3
连续漏极电流Id - 3.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 66 mOhms @ 2.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 960mW(Ta),1.7W(Tc)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NX2301P215 Nexperia 未分类

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SI2367DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Tc) P-Channel 66 mOhms @ 2.5A,4.5V 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

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