NVD2955T4G 与 SUD08P06-155L-GE3 区别
| 型号 | NVD2955T4G | SUD08P06-155L-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NVD2955T4G | A3t-SUD08P06-155L-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 12A | 8.4A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 155 mOhms @ 5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W(Ta),20.8W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVD2955T4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 30 | 对比 |
|
|
SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
