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NTTFS5820NLTAG  与  SIS862DN-T1-GE3  区别

型号 NTTFS5820NLTAG SIS862DN-T1-GE3
唯样编号 A3t-NTTFS5820NLTAG A-SIS862DN-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN 60V, 40A, 0.0085 Ohms, PowerPAK 1212-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) PowerPAK® 1212-8
连续漏极电流Id - 40A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.7W(Ta),52W(Tc)
Vgs(th) - 2.6V @ 250uA
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTTFS5820NLTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 当前型号
SIS862DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V

暂无价格 20 对比
SIS862DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

暂无价格 20 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

¥4.3403 

阶梯数 价格
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