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NTR4171PT1G  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 NTR4171PT1G IRLML5103TRPBF
唯样编号 A3t-NTR4171PT1G A-IRLML5103TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
正向跨导-最小值 7 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V 600mΩ@600mA,10V
上升时间 16 ns -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 0.76A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 22 ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 75pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA
高度 0.94 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 540mW(Ta)
典型关闭延迟时间 32 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 NTR4171P HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 15V 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V 5.1nC @ 10V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
SI3401A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.216 

阶梯数 价格
240: ¥0.216
1,500: ¥0.186
3,000: ¥0.165
61,616 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.616 

阶梯数 价格
90: ¥0.616
200: ¥0.5018
1,500: ¥0.4563
3,000: ¥0.4277
13,004 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
SI3401A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 625mW(Ta) 600mΩ@610mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 0.9A

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
200: ¥0.8833
681 对比

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