NTR1P02T1 与 SI2301CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | NTR1P02T1 | SI2301CDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTR1P02T1 | A-SI2301CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 400mW(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 毫欧 @ 1.5A,10V | 112mΩ@2.8A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 860mW(Ta),1.6W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | 1A(Ta) | -3.1A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 405pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 165pF @ 5V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 721 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR1P02T1 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 1A(Ta) ±20V 180 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V |
暂无价格 | 721 | 对比 |
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