NTMFS4833NT3G 与 SIR462DP-T1-GE3 区别
| 型号 | NTMFS4833NT3G | SIR462DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTMFS4833NT3G | A3t-SIR462DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohm 41.7 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 910mW(Ta),125W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2 毫欧 @ 30A,10V | 8.2mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 4.8W(Ta),41.7W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 16A(Ta),156A(Tc) | 30A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1155pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5600pF @ 12V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 88nC @ 11.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 30A 8.2mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 30A 8.2mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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