NTMD4840NR2G 与 SI4936CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | NTMD4840NR2G | SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-NTMD4840NR2G | A36-SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | 0.68W | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24 毫欧 @ 6.9A,10V | 40 mOhms @ 5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.3W | ||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC | 8-SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.5A | 5.8A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.5nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 22,255 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTMD4840NR2G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.332
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22,255 | 对比 | ||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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