NTLJD3119CTAG 与 SIA519EDJ-T1-GE3 区别
| 型号 | NTLJD3119CTAG | SIA519EDJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTLJD3119CTAG | A-SIA519EDJ-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | MOSFET |
| 描述 | Dual N / P-Channel 20 V 40 mO 7.7/12 nC Power Mosfet - PowerPAK-SC-70-6L Dual | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 6-WDFN(2x2) | PowerPAK-SC-70-6 |
| 连续漏极电流Id | 2.6A,2.3A | - |
| 功率 | 0.71W | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 65 毫欧 @ 3.8A,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 271pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.7nC @ 4.5V | - |
| FET类型 | 逻辑电平门 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTLJD3119CTAG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAK-SC-70-6 |
暂无价格 | 8,319 | 对比 |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAK-SC-70-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAK-SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAK-SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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