NTHD3100CT1G 与 SI5515CDC-T1-GE3 区别
| 型号 | NTHD3100CT1G | SI5515CDC-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTHD3100CT1G | A3t-SI5515CDC-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Si5515CDC Series 20 V 36 mOhm 3.1 W Surface Mount N & P-Channel Mosfet | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.1W |
| 功率 | 1.1W | - |
| 最大工作温度 | + 150 C | - |
| 漏源极电压Vds | ± 12 V, ± 8 V | 20V |
| Vgs(th) | - | 800mV @ 250uA |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel | - |
| FET类型 | N and P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | ChipFET-8 | 8-SMD,扁平引线 |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 6 S, 8 S | - |
| 最小工作温度 | - 55 C | - |
| 连续漏极电流Id | 3.9 A, - 4.4 A | 4A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | Dual Dual Drain | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 165pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.3nC @ 4.5V | - |
| 下降时间 | 10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel | - |
| 导通电阻Rds(On) | 58 m0hms, 64 m0hms | 36 mOhms @ 6A,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A N+P-Channel 36 mOhms @ 6A,4.5V 3.1W 8-SMD,扁平引线 -55°C~150°C 20V |
￥4.008
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A N+P-Channel 36 mOhms @ 6A,4.5V 3.1W 8-SMD,扁平引线 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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