NTD2955T4G 与 AOD407 区别
| 型号 | NTD2955T4G | AOD407 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTD2955T4G | A-AOD407 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ@6A,10V | 115mΩ@12A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | -60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 55W(Tj) | 50W | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | TO-252 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta) | -12A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 750pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 750pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 8,493 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥5.64
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8,493 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9024NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |
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