NTD20P06LG 与 SUD19P06-60-GE3 区别
| 型号 | NTD20P06LG | SUD19P06-60-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTD20P06LG | A-SUD19P06-60-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 65W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150 毫欧 @ 7.5A,5V | 60 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 15.5A(Ta) | 18.3A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1190pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 73 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTD20P06LG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 73 | 对比 | ||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规 |
￥3.0171
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0 | 对比 | ||||
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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