NTB30N20T4G 与 SUM65N20-30-E3 区别
| 型号 | NTB30N20T4G | SUM65N20-30-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTB30N20T4G | A-SUM65N20-30-E3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2W(Ta),214W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 81 毫欧 @ 15A,10V | 30mΩ@30A,10V |
| 零件号别名 | - | SUM65N20-30 |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.75W(Ta),375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 30A(Ta) | 65A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | SUM |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2335pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTB30N20T4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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