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NLAS4501DFT2G  与  DG2012EDL-T1-GE3  区别

型号 NLAS4501DFT2G DG2012EDL-T1-GE3
唯样编号 A3t-NLAS4501DFT2G A3t-DG2012EDL-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
开关时间(Ton, Tof)(最大值) 9ns,10ns -
空闲时间—最大值 - 30ns
电压 - 电源,单(V+) 2 V ~ 5.5 V -
沟道电容 (CS(off),CD(off)) 10pF,10pF -
运行时间—最大值 - 35ns
导通电阻—最大值 - 2Ohms
封装/外壳 SC-88A(SC-70-5/SOT-353) SC70-6
工作温度 -55°C~125°C(TA) -40°C~85°C
配置 - 1xSPDT
电源电压-最小 - 1.8V
电荷注入 3pC -
电路数 1 Ohms -
开关电路 SPST - 常开 -
开关电压—最大值 - 6V
Pd-功率耗散(Max) - 0.25W
-3db 带宽 220MHz -
开关直流 - 100mA
系列 - DG
多路复用器/解复用器电路 1:1 -
导通电阻(最大值) 25 欧姆 -
电压 - 5.5V
电源电压-最大 - 5.5V
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) 1nA -
开关数量 - 1Switch
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NLAS4501DFT2G ON Semiconductor 未分类

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DG2012EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

SC70-6 0.25W -40°C~85°C

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DG2012EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

SC70-6 0.25W -40°C~85°C

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