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NLAS4157DFT2G  与  DG4157EDN-T1-GE4  区别

型号 NLAS4157DFT2G DG4157EDN-T1-GE4
唯样编号 A3t-NLAS4157DFT2G A3t-DG4157EDN-T1-GE4
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 模拟开关
描述 Analog Switch Single SPDT 6-Pin SC-88 T/R Vishay DG4157EDN-T1-GE4 模拟单刀双掷开关, 1.65 → 5.5 V电源, 6引脚 μDFN-6L封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-漏泄(IS(off))(最大值) 100nA -
电压- 电源,单(V+) - 1.65V ~ 5.5V
开关时间(Ton, Tof)(最大值) 20ns,15ns -
电压 - 电源,单(V+) 1.65 V ~ 5.5 V -
沟道电容 (CS(off),CD(off)) 10pF -
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-XFDFN
工作温度 -40°C~85°C(TA) -40°C~85°C
电压- 电源,单(V+) 1.65 V ~ 5.5 V -
电荷注入 48pC -5pC
导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆
电路数 1 Ohms 1
开关电路 SPDT SPDT
开关时间 (Ton,Toff)(最大值) - 32ns,28ns
开关时间(Ton,Tof)(最大值) 20ns,15ns -
-3db带宽 40MHz 152MHz
-3db 带宽 40MHz -
电流-漏泄(IS(off))(最大值) - 3nA
沟道电容(CS(off),CD(off)) 10pF -
多路复用器/解复用器电路 2:1 2:1
导通电阻(最大值) 1.15 欧姆 -
串扰 -57dB @ 1MHz -41dB @ 10MHz
通道至通道匹配(ΔRon) - 120 毫欧(最大)
通道至通道匹配(ΔRon) 120 毫欧 -
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) 100nA -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NLAS4157DFT2G ON Semiconductor 未分类

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DG4157EDN-T1-GE4 Vishay  数据手册 模拟开关

6-XFDFN

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