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NDS8410A  与  SI4128DY-T1-GE3  区别

型号 NDS8410A SI4128DY-T1-GE3
唯样编号 A3t-NDS8410A A3t-SI4128DY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.024 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 12 毫欧 @ 10.8A,10V 24 mOhms @ 7.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.4W(Ta),5W(Tc)
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC
连续漏极电流Id 10.8A(Ta) 10.9A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS8410A ON Semiconductor 未分类

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SI4128DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.9A(Ta) N-Channel 24 mOhms @ 7.8A,10V 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

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