NDS7002A 与 2N7002P,215 区别
| 型号 | NDS7002A | 2N7002P,215 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-NDS7002A | A3n-2N7002P,215 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 60 V 2 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 | MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 350mW(Ta) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 360mA(Ta) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 50pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.8nC @ 4.5V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.6Ω@500mA,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 300,000 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NDS7002A | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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2N7002P,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 |
暂无价格 | 451,528 | 对比 | ||||||||||
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2N7002P,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 |
￥0.1734
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
￥0.7092
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174,233 | 对比 | ||||||||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 39,600 | 对比 | ||||||||||
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2N7002K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel |
￥0.6276
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28,822 | 对比 |
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