NDS332P 与 SI2301A-TP 区别
| 型号 | NDS332P | SI2301A-TP | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-NDS332P | A36-SI2301A-TP | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | MCC | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||
| 输入电容Ciss | - | 880pF @ 6V | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 120mΩ@2.8A,4.5V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W | ||||||
| 栅极电荷Qg | - | 14.5nC @ 4.5V | ||||||
| FET 类型 | - | P-Channel | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,029 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NDS332P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
¥0.6006
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19,178 | 对比 | ||||||||||
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NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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SI2301A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
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DMP2225L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A |
¥0.3437
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4,459 | 对比 | ||||||||||
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SI2301A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
¥0.572
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2,029 | 对比 |