NDD03N80Z-1G 与 IRFBE20PBF 区别
| 型号 | NDD03N80Z-1G | IRFBE20PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NDD03N80Z-1G | A3t-IRFBE20PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 96W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5 欧姆 @ 1.2A,10V | 6.5 Ohms @ 1.1A,10V |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 54W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 2.9A(Tc) | 1.8A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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NDD03N80Z-1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
￥5.027
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30 | 对比 | ||||
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IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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