首页 > 商品目录 > > > MUX508IDR代替型号比较

MUX508IDR  与  DG508BEY-T1-E3  区别

型号 MUX508IDR DG508BEY-T1-E3
唯样编号 A3t-MUX508IDR A3t-DG508BEY-T1-E3
制造商 TI Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 模拟开关
描述 DG508B Series Single 8 Channel 20 V 180 Ohm CMOS Analog Multiplexer - SOIC-16
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电压- 电源,单(V+) - 12V
开关时间 (Ton,Toff)(最大值) - 250ns,240ns
电压 - 电源,双(V±) ±5 V ~ 18 V -
开关时间(Ton, Tof)(最大值) 136ns,75ns -
电压 - 电源,单(V+) 10 V ~ 36 V -
-3db带宽 - 250MHz
沟道电容 (CS(off),CD(off)) 2.4pF,7.5pF -
电流-漏泄(IS(off))(最大值) - 1nA
封装/外壳 16-SOIC 16-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -40°C~125°C(TA) -40°C~125°C(TA)
多路复用器/解复用器电路 8:1 8:1
导通电阻(最大值) 170 欧姆 -
电压-供电,双 (V±) - ±5V ~ 20V
串扰 -96dB @ 1MHz -88dB @ 1MHz
沟道电容(CS(off),CD(off)) - 3pF,13pF
通道至通道匹配(ΔRon) - 10 欧姆
电荷注入 0.3pC 2pC
通道至通道匹配(ΔRon) 2.4 欧姆 -
导通电阻(最大值) - 380 欧姆
电路数 1 Ohms 1
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) 1nA -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUX508IDR TI 未分类

暂无价格 0 当前型号
DG508BEY-T1-E3 Vishay  数据手册 模拟开关

16-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售