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MTB30P06V  与  SIHLZ34S-GE3  区别

型号 MTB30P06V SIHLZ34S-GE3
唯样编号 A3t-MTB30P06V A3t-SIHLZ34S-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-263AB
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
工作温度 - -55°C~175°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50 mOhms @ 18A,5V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.7W(Ta),88W(Tc)
Vgs(最大值) - ±10V
Vgs(th) - 2V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MTB30P06V ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SIHLZ34S-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 18A,5V 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V

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