MGSF2N02ELT1G 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | MGSF2N02ELT1G | RUR020N02TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-MGSF2N02ELT1G | A33-RUR020N02TL-2 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | 1.25W(Ta) | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 540mW(Ta) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±10V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Ta) | 2A | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 5V | 180pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.5nC @ 4V | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 5V | - | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.5nC @ 4V | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 19,414 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MGSF2N02ELT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±8V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V N-Channel 20V 2.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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105,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.9933
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21,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.52
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.8877
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9,915 | 对比 |
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