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MCH6431-TL-W  与  SI1416EDH-T1-GE3  区别

型号 MCH6431-TL-W SI1416EDH-T1-GE3
唯样编号 A3t-MCH6431-TL-W A36-SI1416EDH-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 SI1416EDH Series N-Channel 30 V 3.9 A 12 nC Surface Mount Mosfet - SC-70-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.5W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 55 毫欧 @ 2.5A,10V 58 mOhms @ 3.1A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.8W(Tc)
Vgs(th) - 1.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 6-SMD,扁平引线 SOT-363
连续漏极电流Id 5A(Ta) 3.9A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MCH6431-TL-W ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.9A(Tc) N-Channel 58 mOhms @ 3.1A,10V 2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V

暂无价格 2 对比
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.9A(Tc) N-Channel 58 mOhms @ 3.1A,10V 2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比

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