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LTE-4206  与  TSAL4400  区别

型号 LTE-4206 TSAL4400
唯样编号 A3t-LTE-4206 A-TSAL4400
制造商 GB Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 IR红外发射管
描述 940 nm 100 mA ±25° Through Hole High Power Infrared Emitting Diode - T-1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
波长 - 940nm
封装/外壳 - 径向,3mm 直径(T-1)
工作温度 - -40°C~85°C(TA)
不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) - 16mW/sr @ 100mA
电压 - 正向(Vf)(典型值) - 1.35V
电流 - DC 正向(If) - 100mA
朝向 - 顶视图
视角 - 50°
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
LTE-4206 GB 未分类

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TSAL4400 Vishay  数据手册 IR红外发射管

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