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IRLZ34S  与  MTB30P06VT4G  区别

型号 IRLZ34S MTB30P06VT4G
唯样编号 A3t-IRLZ34S A3t-MTB30P06VT4G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3W(Ta),125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 18A,5V 80 毫欧 @ 15A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),88W(Tc) -
Vgs(th) 2V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±15V
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 30A(Tc) 30A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
Vgs(最大值) ±10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2190pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ34S Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 18A,5V 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V

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MTB30P06VT4G ON Semiconductor 未分类

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