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IRLZ34PBF  与  FQP20N06  区别

型号 IRLZ34PBF FQP20N06
唯样编号 A3t-IRLZ34PBF A3t-FQP20N06
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 N-Channel 60 V 0.07 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 88W(Tc) 53W(Tc)
功率 - 53W(Tc)
漏源极电压Vds 60V 60V
Vgs(th) 2V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 30A(Tc) 20A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 590pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
Vgs(最大值) ±10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 50 mOhms @ 18A,5V 60 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 590pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ34PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 18A,5V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 60V

暂无价格 0 当前型号
FQP20N06 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

53W(Tc) 60m Ohms@10A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 20A N-Channel 60V 20A(Tc) ±25V 60 毫欧 @ 10A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRLZ34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 35mΩ@16A,10V N-Channel 55V 30A TO-220AB

暂无价格 0 对比
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