IRLS640A 与 IRFI640GPBF 区别
| 型号 | IRLS640A | IRFI640GPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRLS640A | A-IRFI640GPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 40W(Tc) | 40W(Tc) |
| 功率 | 40W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.8A(Tc) | 9.8A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1705pF @ 25V | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 5V | 70nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 180 毫欧 @ 4.9A,5V | 180mΩ |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1705pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLS640A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
40W(Tc) 180m Ohms@4.9A,5V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 9.8A N-Channel 200V 9.8A(Tc) ±20V 180 毫欧 @ 4.9A,5V -55°C~150°C(TJ) TO-220F TO-220-3 整包 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
IRFI640GPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 9.8A(Tc) ±20V 40W(Tc) 180mΩ@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 200V 9.8A 180mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFI640GPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 9.8A(Tc) ±20V 40W(Tc) 180mΩ@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 200V 9.8A 180mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
