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IRFR9120N  与  SUD09P10-195-GE3  区别

型号 IRFR9120N SUD09P10-195-GE3
唯样编号 A3t-IRFR9120N A3t-SUD09P10-195-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-252
功率耗散Pd - 2.5W(Ta),32.1W(Tc)
连续漏极电流Id - 8.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 100V
Vgs(最大值) - ±20V
导通电阻Rds(On) - 195 mOhms @ 3.6A,10V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9120N ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUD09P10-195-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

¥3.864 

阶梯数 价格
20: ¥3.864
100: ¥3.228
1,000: ¥2.928
2,000: ¥2.808
13,547 对比
SUD09P10-195-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 10 对比
SUD09P10-195-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 对比

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