IRFP350PBF 与 FQD6N50CTM 区别
| 型号 | IRFP350PBF | FQD6N50CTM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRFP350PBF | A3t-FQD6N50CTM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 400 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC | N-Channel 500 V 1.2 Ohm Surface Mount SuperMESH™ MosFet - TO-252-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),61W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300 mOhms @ 9.6A,10V | 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V |
| 漏源极电压Vds | 400V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 190W(Tc) | 2.5W(Ta),61W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | 4.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFP350PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FQD6N50CTF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FQD6N50CTM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta),61W(Tc) 1.2 Ohms@2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 4.5A N-Channel 500V 4.5A(Tc) ±30V 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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