首页 > 商品目录 > > > > IRFP22N60KPBF代替型号比较

IRFP22N60KPBF  与  R6020JNZ4C13  区别

型号 IRFP22N60KPBF R6020JNZ4C13
唯样编号 A3t-IRFP22N60KPBF A33-R6020JNZ4C13-0
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 252W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 280 mOhms @ 13A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 100V
Vgs(th) 5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247G
连续漏极电流Id 22A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 3.5mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 234 毫欧 @ 10A,15V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 45nC @ 15V
库存与单价
库存 0 600
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥67.2302
5+ :  ¥39.9778
10+ :  ¥33.5384
30+ :  ¥29.2551
50+ :  ¥28.3927
100+ :  ¥27.7507
200+ :  ¥27.4345
300+ :  ¥27.3195
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP22N60KPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

22A(Tc) N-Channel 280 mOhms @ 13A,10V 370W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 0 当前型号
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 5,922 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥67.2302 

阶梯数 价格
3: ¥67.2302
5: ¥39.9778
10: ¥33.5384
30: ¥29.2551
50: ¥28.3927
100: ¥27.7507
200: ¥27.4345
300: ¥27.3195
600 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

暂无价格 55 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥67.2302 

阶梯数 价格
3: ¥67.2302
5: ¥39.9778
9 对比
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售