IRFP150PBF 与 IRFP150NPBF 区别
| 型号 | IRFP150PBF | IRFP150NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRFP150PBF | A-IRFP150NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 0.055 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247 | Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.31mm |
| Qg-栅极电荷 | - | 73.3nC |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247AC |
| 连续漏极电流Id | 41A(Tc) | 39A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 15.87mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 55 mOhms @ 25A,10V | 36mΩ |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1900pF @ 25V |
| 高度 | - | 20.7mm |
| 功率耗散Pd | 230W(Tc) | 140W |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP150PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
41A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 25A,10V 230W(Tc) TO-247-3 -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFP150NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-247AC 100V 39A 36mΩ 20V 140W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFP150 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
IRFP150VPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
MTW45N10E | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
IRFP150#PBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
