IRFIB7N50APBF 与 TK12A50D(STA4,Q,M) 区别
| 型号 | IRFIB7N50APBF | TK12A50D(STA4,Q,M) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRFIB7N50APBF | A36-TK12A50D(STA4,Q,M) | ||||||
| 制造商 | Vishay | Toshiba | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 500 V 520 mOhms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 520 mOhms @ 4A,10V | - | ||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 500V | 500 V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 60W(Tc) | 45W(Tc) | ||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 520 毫欧 @ 6A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1350 pF @ 25 V | ||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | 4V @ 1mA | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 25 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220SIS | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6.6A(Tc) | 12A(Ta) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | ±30V | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,319 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRFIB7N50APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.6A(Tc) N-Channel 520 mOhms @ 4A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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TK12A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 45W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 500 V 12A(Ta) |
￥3.146
|
1,319 | 对比 | ||||||||
.jpg)
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IPA50R500CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 FullPAK 5.4A N-Channel 500V -55°C 2.5V,3.5V 500mΩ |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||
|
STP11NK50ZFP | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
￥3.74
|
25 | 对比 | ||||||||
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|
STP11NK50ZFP | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOTF13N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 500V 30V 13A 50W 510mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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