IRFI840GLCPBF 与 R5009FNX 区别
| 型号 | IRFI840GLCPBF | R5009FNX | ||||
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| 唯样编号 | A3t-IRFI840GLCPBF | A33-R5009FNX | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 50W(Tc) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 850 mOhms @ 2.7A,10V | - | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | 500V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 630pF @ 25V | ||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FM | ||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Tc) | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 840 毫欧 @ 4.5A,10V | ||||
| Vgs(最大值) | ±30V | ±30V | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9A(Tc) | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 500V | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 98 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRFI840GLCPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Tc) N-Channel 850 mOhms @ 2.7A,10V 40W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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R5009FNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
¥8.5092
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98 | 对比 | ||||||
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R5009FNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOTF9N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 500V 30V 9A 38.5W 850mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30W(Tc) 1.5 Ohms@2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 4.5A N-Channel 500V 4.5A(Tc) ±25V 1.5 欧姆 @ 2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220F TO-220-3 整包 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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IRF840FI | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |