IRFD9120PBF 与 IRF7204TRPBF 区别
| 型号 | IRFD9120PBF | IRF7204TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRFD9120PBF | A-IRF7204TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 | Single P-Channel 20 V 2.5 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600 mOhms @ 600mA,10V | 60mΩ@5.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | 2.5W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 4-DIP | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 1A(Ta) | 5.3A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 860pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 860pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFD9120PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1A(Ta) P-Channel 600 mOhms @ 600mA,10V 1.3W 4-DIP -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7204TRPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF7204 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF7204TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@5.3A,10V P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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