IRFBE20PBF 与 R8002ANX 区别
| 型号 | IRFBE20PBF | R8002ANX | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRFBE20PBF | A-R8002ANX | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.5 Ohms @ 1.1A,10V | 4.3Ω@1A,10V | ||
| 上升时间 | - | 20ns | ||
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 54W(Tc) | 35W | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 12.7nC | ||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 33ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP-3 | ||
| 连续漏极电流Id | 1.8A(Tc) | 2A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| 系列 | - | R8002ANX | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 下降时间 | - | 70ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 17ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥14.2874
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300 | 对比 | ||||||||||
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R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥14.2874
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240 | 对比 | ||||||||||
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R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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NDD03N80Z-1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥6.6119
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0 | 对比 |
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