IRF9Z24PBF 与 IRF9Z24NPBF 区别
| 型号 | IRF9Z24PBF | IRF9Z24NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRF9Z24PBF | A-IRF9Z24NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC 45 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280 mOhms @ 6.6A,10V | 175mΩ@7.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W(Tc) | 45W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 11A(Tc) | 12A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF9Z24PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Tc) P-Channel 280 mOhms @ 6.6A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STP12PF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STP12PF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STP12PF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF9Z24NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 175mΩ@7.2A,10V P-Channel 55V 12A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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