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IRF840  与  IRF840PBF  区别

型号 IRF840 IRF840PBF
唯样编号 A3t-IRF840 A3-IRF840PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 850mΩ
上升时间 - 23ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Qg-栅极电荷 - 63nC
栅极电压Vgs - 2V
典型关闭延迟时间 - 49ns
正向跨导 - 最小值 - 4.9S
封装/外壳 - TO-220-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8A
系列 - IRF
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 20ns
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 0 710,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
1,000+ :  ¥2.65
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF840 ON Semiconductor 未分类

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1,000: ¥2.65
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