尊敬的客户:中秋节9-25至9-27我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > IRF7306TRPBF代替型号比较

IRF7306TRPBF  与  SI9933CDY-T1-GE3  区别

型号 IRF7306TRPBF SI9933CDY-T1-GE3
唯样编号 A3t-IRF7306TRPBF A36-SI9933CDY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-SOIC
功率耗散Pd - 3.1W
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -50°C~150°C
漏源极电压Vds - 20V
导通电阻Rds(On) - 58mΩ@4.8A,4.5V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - 2P-Channel
库存与单价
库存 0 11,308
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.964
100+ :  ¥2.292
1,250+ :  ¥1.992
2,500+ :  ¥1.896
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7306TRPBF ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V

¥2.964 

阶梯数 价格
20: ¥2.964
100: ¥2.292
1,250: ¥1.992
2,500: ¥1.896
11,308 对比
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V

暂无价格 2,500 对比
MBR10100-E3/4W Vishay  数据手册 整流二极管

100V 800mV 100uA TO-220AC -65°C~150°C 10A

¥5.124 

阶梯数 价格
10: ¥5.124
100: ¥4.092
1,000: ¥3.936
2,175 对比
MBR10100-E3/4W Vishay  数据手册 整流二极管

100V 800mV 100uA TO-220AC -65°C~150°C 10A

¥7.9428 

阶梯数 价格
150: ¥7.9428
350: ¥7.5823
800 对比
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V

¥2.5637 

阶梯数 价格
20: ¥2.5637
558 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售