IRF7306TRPBF 与 SI4925DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7306TRPBF | SI4925DDY-T1-GE3 | ||
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| 唯样编号 | A3t-IRF7306TRPBF | A36-SI4925DDY-T1-GE3-1 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 | ||
| 功率耗散Pd | - | 5W | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 7.3A | ||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1350pF @ 15V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 3V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 29mΩ | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 558 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF7306TRPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.964
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11,308 | 对比 | ||||||||||
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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MBR10100-E3/4W | Vishay | 数据手册 | 整流二极管 |
100V 800mV 100uA TO-220AC -65°C~150°C 10A |
￥5.124
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2,175 | 对比 | ||||||||||
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MBR10100-E3/4W | Vishay | 数据手册 | 整流二极管 |
100V 800mV 100uA TO-220AC -65°C~150°C 10A |
￥7.9428
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800 | 对比 | ||||||||||
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
￥2.5637
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558 | 对比 |
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